삼성전자, GAA 기술 적용한 3나노 파운드리 양산

2022-06-30 13:42 출처: 삼성전자 (코스피 005930)

서울--(뉴스와이어) 2022년 06월 30일 -- 삼성전자가 세계 최초로 GAA (Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노(nm, 나노미터) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다고 30일 밝혔다.

3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며, 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 신기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스는 전 세계 파운드리 업체 가운데 삼성전자가 유일하다.
 
삼성전자는 3나노 공정의 고성능 컴퓨팅(HPC·High-Performance Computing)용 시스템 반도체를 초도 생산하는 데 이어, 모바일 SoC 등으로 확대해 나갈 예정이다.
 
삼성전자 파운드리사업부장 최시영 사장은 “삼성전자는 파운드리 업계 최초로 하이-케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate)[1], 핀펫(FinFET), EUV 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해 왔고, 이번에 MBCFET[2] GAA 기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스도 세계 최초로 제공하게 됐다”며 “앞으로도 차별화한 기술을 적극적으로 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다”고 밝혔다.

◇나노시트 형태의 독자적인 MBCFET GAA 기술 세계 첫 적용
 
삼성전자는 이번에 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널(Channel) 4개 면을 게이트(Gate)가 둘러싸는 형태인 차세대 GAA 기술을 세계 최초로 적용했다.
 
채널의 3개 면을 감싸는 기존 핀펫 구조와 비교해, GAA 기술은 게이트의 면적이 넓어지며 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술로 손꼽힌다. 또 삼성전자는 채널을 얇고 넓은 모양의 나노시트(Nanosheet) 형태로 구현한 독자적 MBCFET GAA 구조도 적용했다.
 
나노시트의 폭을 조정하면서 채널의 크기도 다양하게 변경할 수 있으며, 기존 핀펫 구조나 일반적인 나노와이어(Nanowire) GAA 구조에 비해 전류를 더 세밀하게 조절할 수 있어 고성능·저전력 반도체 설계에 큰 장점이 있다.
 
◇설계 공정 기술 최적화를 통한 극대화된 PPA 구현
 
삼성전자는 나노시트 GAA 구조 적용과 함께 3나노 설계 공정 기술 공동 최적화(DTCO·Design Technology Co-Optimization)를 통해 PPA (Power·소비전력, Performance·성능, Area·면적)를 극대화했다.
 
삼성전자 3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력 45% 절감, 성능 23% 향상, 면적 16% 축소됐다. 이어 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소된다.
 
삼성전자는 앞으로 고객 요구에 최적화한 PPA, 극대화한 전 성비(단위 전력당 성능)를 제공하며, 차세대 파운드리 서비스 시장을 주도해 나갈 계획이다.
 
◇SAFE 파트너와 지난해부터 3나노 설계 인프라·서비스 제공
 
공정이 미세화되고 반도체에 더 많은 기능과 높은 성능이 담기면서, 칩의 설계와 검증에도 점점 많은 시간이 소요된다.
 
삼성전자는 시높시스(Synopsys), 케이던스(Cadence) 등 SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너들과 함께 3나노 공정 기반의 반도체 설계 인프라·서비스를 제공함으로써, 고객들이 빠른 시간에 제품 완성도를 높일 수 있도록 시스템을 강화해 나갈 계획이다.
 
상카 크리슈나무티(Shankar Krishnamoorthy) 시높시스 실리콘 리얼라이제이션그룹(Silicon Realization Group) 총괄 매니저는 “시높시스는 삼성전자와 장기적·전략적 협력 관계를 유지하고 있다”며 “삼성전자와의 GAA 기반 3나노 협력은 앞으로 시높시스의 디지털 디자인, 아날로그 디자인, IP 제품으로 계속 확장돼 주요 고성능 컴퓨팅 애플리케이션을 위한 차별화된 SoC를 제공할 것이다”고 말했다.
 
톰 베클리(Tom Beckley) 케이던스 Custom IC&PCB 그룹 부사장 겸 총괄 매니저는 “삼성전자 3나노 GAA 기반 제품 양산을 축하한다”며 “케이던스는 삼성전자와 협력해 자동화한 레이아웃으로 회로 설계와 시뮬레이션에서 생산성을 높일 수 있는 서비스를 제공한다”고 말했다. 이어 “케이던스는 더 많은 테이프아웃(설계 완료) 성공을 위해 삼성전자와 협력을 계속해 나가겠다”고 덧붙였다.

[1] High-K Metal Gate는 공정이 미세화될수록 증가하는 누설전류를 효과적으로 줄일 수 있도록 절연 효과가 높은 High-K 물질을 게이트에 적용하는 기술을 의미한다.
[2] MBCFET는 Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor의 약어다.

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